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電路板季刊 2020.Q2 專業技術 41
圖4.雙層和夾層焊料結構接合情況的剪切強度結果
此剪切強度較高。
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我們成功利用雙層焊料結構和夾層焊料結構在較低的回焊溫度（150℃）下成
功將LED晶片與Ag / Cu基板接合。與雙層焊料結構相比，夾層焊料結構中接合界面觀
察到的空隙較少。而且，夾層焊料結構中在接合界面處的IMC接合區域面積較雙層焊
料結構要高得多。因此，我們認為，夾層焊料結構與雙層焊料結構相比具有更強的剪
切強度，這是因為接合界面處的空隙較少，空隙的生成會降低接面剪切強度。另外，
夾層焊料結構中接合界面處的IMC接合區域大於雙層焊料結構的IMC接合區域。我們認
為，在界面處的IMC接合區域可以提高晶片接合強度。
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