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電路板季刊 2020.Q2 專業技術 27
由Eq. (1)可知,集膚深度將隨頻率上升而減薄。以銅導線為例,當頻率升高至約
10 GHz時,銅導線之集膚深度(δ)將小於1 µm (如圖3) [7]。換言之,在高頻傳輸時,
訊號主要傳輸的截面積將遠小於整個導線的截面積。一旦導線之粗糙表面在集膚深度
(δ)範圍內時,意謂著訊號是在不平整的表面進行傳遞。此時極容易造成訊號的駐波
(standing wave)與反射(reflection)等現象發生,導致訊號損失。因此,當集膚深度較
小時(例如:高頻操作),導線的表面形貌(粗糙度,roughness)及材料特性(表面處理,
surface finish)將成為宰制訊號損耗的重要因子。
圖3.在不同傳輸頻率(f)下,傳輸訊號於銅導線之集膚深度(δ)。
(3)介入損耗(insertion loss):在高頻高速傳輸時,訊號的傳播速度與衰減是兩個相當
重要的參數。訊號的傳播延遲取決於介電常數(ε r或Dk)的大小和傳輸線結構。由於
訊號傳播速度與介電常數開根號成反比,故使用低介電常數的基板材料可以減少訊
號的傳播延遲,並降低導線間的耦合電容值(coupling capacity)。訊號的整體損耗又
稱為介入損耗(insertion loss),其主要源於(i)介電損耗(dielectric loss)與(ii)導體損耗
(conductor loss):
(i)介電損耗(dielectric loss):泛指訊號被基板介電材料影響所造成之損耗情形,並以
介電損耗因子(Df)表示[8]。其數值可透過散射參數(scattering parameters, i.e., S 11,
S 22, S 12, S 21)量測結合理論推導求得。因此使用具有低損耗的介質材料可以降低訊
號的衰減,以提高訊號完整性。若無法確切掌握此一材料參數,模擬出來的元件
高頻特性將與實際量測存在相當程度的落差。

